检测项目
热激发功率：测量20-800℃范围内单位面积功率载荷（0.5-5.0 W/cm²）
临界温度阈值：记录材料发生结构相变的温度点（±0.5℃精度）
功率衰减系数：测定连续加载30分钟后的功率损耗率（0-100%量程）
热扩散速率：分析0.1-10秒时间域内的热传导梯度（分辨率0.01 mm²/s）
介电响应特性：检测10 kHz-1 MHz频率范围内的介质损耗角（tanδ≤0.01）
检测范围
半导体材料：砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)晶圆
绝缘材料：氧化铝陶瓷(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)基板
磁性材料：铁氧体磁芯、非晶合金带材
高温合金：镍基超合金、钼钛锆系耐热钢
电子元件：功率电阻器、微波介质谐振器
检测方法
ASTM E1461：激光闪射法测定热扩散系数
ISO 22007-2：瞬态平面热源法测量导热系数
GB/T 13301：半导体材料比功率测试规范
IEC 61189-3：电子材料热特性测试程序
GB/T 10592：高低温试验箱技术条件
检测设备
激光导热仪LFA 467 HyperFlash：温度范围-120~2800℃，功率密度0.1-50 W/cm²
热流法测试仪TPS 2500S：测量精度±3%，支持ISO 22007标准
动态热机械分析仪NETZSCH DMA 242：频率范围0.01~100 Hz，应变分辨率1 nm
高功率脉冲源Keysight N8957APV：输出功率0-10 kW，脉宽50 ns-10 s可调
红外热像仪FLIR X8580：热灵敏度20 mK，空间分辨率1280×1024像素
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
